ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Items where Subject is "Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors"

Up a level
Export as [feed] RSS 2.0 [feed] RSS 1.0 [feed] Atom
Group by: Creators | Item Type
Jump to: А | Б | В | Г | Д | З | И | К | М | Н | О | П | Р | С | Т | Х | Ш
Number of items at this level: 181.

А

Абоян, А. О. (2012) Структурные искажения полупроводниковых кристаллов кремния, вызванные действием постоянного электрического поля. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (1). pp. 56-63. ISSN 0002-3035

Абрамян, Ю. А. and Авакьянц, Г. М. and Аракелян, А. А. and Симонян, Р. Г. and Тарумян, С. А. (1980) Влияние электронов средних энергий на свойства кремниевых p-n-структур. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (2). pp. 118-122. ISSN 0002-3035

Абрамян, Ю. А. and Симонян, Р. Г. and Арутюнов, В. А. (1976) Влияние давления на вольт-амперную характеристику контакта металл-полупроводник. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 11 (3). pp. 214-218.

Авакьянц, Г. М. (1966) Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни. ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 1 (4). pp. 248-258.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1969) К вопросу о двойной и лавинной инжекции в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 4 (2). pp. 71-82.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1969) К вопросу о лавинной инжекции в компенсированных полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 4 (5). pp. 307-317.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1974) Двойная инжекция в полупроводник с изменяющимися с ростом тока временами жизни электронов и дырок. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 9 (3). pp. 197-207.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1973) К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 8 (6). pp. 429-437.

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1969) Отрицательное сопротивление в nγn и pπp структурах. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 4 (5). pp. 318-328.

Авакьянц, Г. М. and Джереджян, А. А. and Караян, Г. С. (1972) Влияние экранировки на подвижность носителей заряда в компенсированных материалах. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 7 (4). pp. 267-277.

Авакьянц, Г. М. and Каниязов, Ш. (1966) Генерация электрических колебаний в полупроводниках при прохождении постоянного тока. ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 1 (2). pp. 105-110.

Авакьянц, Г. М. and Лазарев, Е. В. (1969) О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику полупроводниковых приборов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 4 (2). pp. 83-90.

Авакьянц, Г. М. and Лазарев, Е. В. (1967) Вольт-амперная характеристика p-n-p-диода с лавинным умножением. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 2 (3). pp. 149-159.

Авакьянц, Г. М. and Рахимов, А. У. (1966) О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода. ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 1 (3). pp. 164-169.

Авакянц, Г. М. and Караян, Г. С. and Джереджян, А. А. (1974) Теория многослойных структур в статистическом режиме. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (5). pp. 402-409.

Авакяьнц, Г. М. (1969) Динамическое отрицательное сопротивление у компенсированных полупроводников. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 4 (6). pp. 380-385.

Аветисян, А. А. and Джотян, А. П. and Погосян, Б. Г. (1998) Межзонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках в скрещенных электрическом и магнитном полях. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (6). pp. 296-303. ISSN 0002-3035

Аветисян, А. А. and Казарян, Э. М. and Саркисян, А. А. (2000) Водородоподобные примесные состояния в полупроводниковых микрокристаллах А3В5. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 35 (5). pp. 250-254. ISSN 0002-3035

Аветисян, С. К. and Енокян, А. Э. and Казарян, Э. М. (1990) Двухфотонное поглощение в примесных полупроводниках типа цинковой обманки. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 25 (3). pp. 157-162. ISSN 0002-3035

Аветисян, С. К. and Енокян, А. Э. and Казарян, Э. М. (1988) Квазиэнергетический спектр примесного полупроводника и поглощение слабого сигнала в поле сильной стоячей волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 23 (6). pp. 318-322. ISSN 0002-3035

Аветисян, С. К. and Енокян, А. Э. and Казарян, Э. М. (1992) Оптические переходы между донорными и акцепторными центрами в квазидвумерном полупроводнике. Հայաստանի ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 27 (2). pp. 68-74. ISSN 0002-3035

Аветисян, С. К. and Енокян , А. Э. and Казарян, Э. М. (1990) Поглощение слабого сигнала примесным полупроводником в присутствии сильного электромагнитного излучения. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 25 (2). pp. 102-106. ISSN 0002-3035

Аветисян, Ю. О. and Акопян, А. С. and Татевосян, В. Р. (2011) Исследование плазмонного терагерцового волновода, образованного диэлектрическим гребнем на поверхности полупроводника. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 46 (5). pp. 361-367. ISSN 0002-3035

Агамалян, Н. Р. and Асланян, Т. А. and Варданян, Э. С. and Кафадарян, Е. А. and Овсепян, Р. К. and Петросян, С. И. and Погосян, А. Р. (2012) Электронные фазовые переходы металл–изолятор в широкозонных полупроводниках ZnO. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (6). pp. 417-426. ISSN 0002-3035

Агаронян, К. Г. and Казарян, А. М. (1979) К теории двухфотонного поглощения в пространственно-ограниченных полупроводниковых средах-пленках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 14 (2). pp. 100-106. ISSN 0002-3035

Агасян, М. М. and Киракосян, А. А. (2001) Поглощение света в размерно-квантованной полупроводниковой проволоке с покрытием. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (1). pp. 20-26. ISSN 0002-3035

Агасян, М. М. and Киракосян, А. А. (2000) Влияние различия диэлектрических постоянных на энергию связи примеси в размерно-квантованной полупроводниковой проволоке с покрытием. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 35 (2). pp. 74-84. ISSN 0002-3035

Агасян, М. М. and Киракосян, А. А. (1998) Поглощение света в размерно-квантованной проволоке при непрямых межзонных переходах: Рассеяние на заряженных примесных центрах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (4). pp. 182-186. ISSN 0002-3035

Агасян, М. М. and Киракосян, А. А. (2000) Дырочные состояния в размерно квантованной полупроводниковой проволоке с покрытием. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 35 (4). pp. 179-186. ISSN 0002-3035

Адамян, А. З. and Адамян, З. Н. and Арутюнян, В. М. (2001) Адсорбционный детектор дыма на основе тонкопленочного сенсора из металлооксидного полупроводника. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (2). pp. 88-93. ISSN 0002-3035

Адамян, А. З. and Адамян, З. Н. and Арутюнян, В. М. (2001) Исследование возможности подавления влияния влажности при адсорбции дыма на поверхности полупроводника. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (1). pp. 32-43. ISSN 0002-3035

Азиз Ахчегала, В. Л. (2011) Влияние взаимной диффузии на зонную структуру и коэффициент поглощения одномерной полупроводниковой сверхрешетки. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 46 (2). pp. 124-131. ISSN 0002-3035

Айвазян, Г. М. and Бадалян, Г. В. and Микаелян, М. А. (2003) Применение имитации для энергетической калибровки кремниевых полупроводниковых детекторов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (2). pp. 113-122. ISSN 0002-3035

Акопян, М. Г. (1987) Влияние локального давления сферическим индентором на зонную структуру германия. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 22 (5). p. 287. ISSN 0002-3035

Акопян, М. Г. (1987) Механизм возникновения участка отрицательной дифференциальной проводимости N-типа в локально деформированных германиевых мелких p-n-переходах и диодах Шоттки. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 22 (4). pp. 202-209. ISSN 0002-3035

Алексанян, А. Г. and Алексанян, Ал. Г. and Никогосян, Г. С. (1992) К вопросу резонансного туннелирования в полупроводниковых гетеропереходах с участием фотона. Հայաստանի ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 27 (1). pp. 30-35. ISSN 0002-3035

Алексанян, А. Г. and Алексанян, Ал. Г. and Никогосян, Г. С. (1992) Энергетическое распределение неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах с КРС. Հայաստանի ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 27 (2). pp. 78-84. ISSN 0002-3035

Алексанян, А. Г. and Арамян, Н. С. and Казарян, Р. К. (1990) Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 25 (1). pp. 36-42. ISSN 0002-3035

Алексанян, А. Г. and Бояхчян, Г. П. and Мирзабекян, Э. Г. (1984) Полупроводниковый квантовый генератор субмиллиметрового диапазона с распределенной обратной связью. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 19 (4). pp. 198-205. ISSN 0002-3035

Алексанян, А. Г. and Еремян, А. С. (2000) Вынужденное комбинационное рассеяние на внутризонных переходах в многослойной размерно-квантованной полупроводниковой структуре в квантующем магнитном поле. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 35 (6). pp. 299-308. ISSN 0002-3035

Алексанян, А. Г. and Мирзабекян, Э. Г. (1978) Плотность электронных состояний полупроводника, помещенного в магнитное поле и в поле ультразвуковой волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (1). pp. 19-24.

Алиханова, Л. Л. and Еркнапетян, Г. Л. and Казарян, Э. М. and Минасян, Г. Р. (1979) Непрямое межзонное поглощение в полупроводниках при наличии сильной электромагнитной волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 14 (5). pp. 317-321. ISSN 0002-3035

Алиханова, Л. Л. and Казарян, Э. М. (1971) Междузонные переходы в полупроводниковых соединениях типа А''' Вˇ. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 6 (1). pp. 16-21.

Алтунян, С. А. (1978) О возможности использования диодных структур на основе аморфных полупроводников как микроиндуктивностей с большой величиной L. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (4). pp. 309-313. ISSN 0002-3035

Аракелян, А. О. and Арутюнян, В. М. and Маргарян, А. Л. and Меликсетян, В. А. and Нерсисян, С. Р. and Табирян, Н. В. (2003) Влияние интерфейсного слоя границы раздела полупроводник-жидкий кристалл на ориентационные эффекты. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (2). pp. 97-107. ISSN 0002-3035

Аракелян, А. О. and Арутюнян, В. М. and Маргарян, А. Л. and Меликсетян, В. А. and Табирян, Н. В. (2002) Влияние светового излучения на поверхностное сцепление нематического жидкого кристалла, контактирующего с полупроводниковой подложкой. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (6). pp. 354-363. ISSN 0002-3035

Аракелян, М. М. and Гукасян, Г. М. and Довлатян, Т. Г. (2001) Солитонные решения в полупроводниковой дисперсной среде и моделирование их эволюции. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (4). pp. 195-202. ISSN 0002-3035

Арамян, Н. С. (2007) Малосигнальная поверхностная фотоэдс в полупроводниковых МДП-структурах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (2). pp. 103-109. ISSN 0002-3035

Арамян, Н. С. (2007) Распределение электрического поля в базе полупроводникового диода с р-п переходом. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (1). pp. 51-56. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Айрапетян, Д. Б. and Багдасарян, Д. А. (2016) Одноэлектронные состояния в полупроводниковом наносферическом слое большого радиуса. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 51 (4). pp. 471-483. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Арутюнян, С. Л. (1981) Экситонное поглощение в полупроводниковых пленках в присутствии бозе-конденсата. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 16 (6). pp. 456-461. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Арутюнян, С. Л. and Дживанян, А. А. and Демирчян , Г. О. (1996) Оптическое поглощение в полупроводниковом цилиндрическом слое при наличии квантового размерного эффекта. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 31 (4). pp. 153-157. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Арутюнян, С. Л. and Дживанян, А. А. and Демирчян , Г. О. (1995) Оптические переходы в размерно-квантованной полупроводниковой пленке при наличии однородного электрического поля. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 30 (6). pp. 245-248. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Арутюнян, С. Л. and Мкртчян, С. А. (1996) Электропоглощение в полупроводниковом цилиндрическом слое. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 31 (4). pp. 158-162. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Гаспарян, В. А. and Казарян, Э. М. and Саркисян, А. А. (2013) Электронные и дырочные состояния в узкозонной полупроводниковой пленке InSb в присутствии однородного электростатического поля. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 48 (4). pp. 251-265. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Казарян, Э. М. (1984) Двухфотонное поглощение в полупроводниковых пленках в присутствии бозе-конденсата экситонов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 19 (1). pp. 10-14. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Султанян, Г. Г. (2003) Квантово-размерный эффект Штарка в полупроводниковом цилиндрическом слое. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (1). pp. 36-42. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. А. and Султанян, Г. Г. (2002) Квантово-размерный эффект Штарка в полупроводниковом сферическом слое. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (4). pp. 237-243. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. (1974) Двойная инжекция в полупроводник, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (4). pp. 316-321.

Арутюнян, В. М. and Агабабян, Г. С. (1997) К теории адсорбции газа полупроводником. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 32 (2). pp. 91-99. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Буниатян, В. В. (1978) Влияние захвата на ловушки инжектированных в пролетное пространство носителей заряда на характеристики инжекционно- пролетных диодов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 13 (3). pp. 189-194. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1980) Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (4). pp. 274-279. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Гулинян, М. Ж. (1998) О модельном представлении физических процессов в пористых полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (6). pp. 284-291. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Гулинян, М. Ж. (1997) Инжекционная электролюминесценция в варизонных структурах с двойной инжекцией. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 32 (1). pp. 35-43. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Дарбасян, А. Т. and Кесоян, А. Л. and Маргарян, А. Л. (1996) Получение и исследование полупроводниковых многокомпонентных тонких пленок. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 31 (5). pp. 202-208. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Димаксян, М. Л. and Ваганян, А. И. and Григорян, Г. Т. and Димаксян, А. Б. (1987) Исследование твердых растворов In1-xGαxP в сильных электрических полях. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 22 (3). pp. 166-170. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Саркисян, А. Г. and Паносян, Ж. Р. and Акопян, Р. С. and Аракелян, А. О. and Маргарян, А. Л. (1980) Преобразование солнечной энергии методом фотолиза воды с помощью полупроводниковых фотоэлектродов на основе ZnO. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (6). pp. 438-443. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. (1986) Гистерезис в оптических характеристиках двухзонного полупроводника. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 21 (2). pp. 70-74. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. (1982) Экситоны Ваннье-Мотта в однородных и квазидвумерных полупроводниках в присутствии интенсивной электромагнитной волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 17 (5). pp. 247-254. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. (1977) Многофотонное поглощение и туннелирование в условиях КРЭ. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 12 (6). pp. 449-455.

Арутюнян, Г. М. (1974) О тунельном эффекте в полупроводниковых планках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (3). pp. 256-259.

Арутюнян, Г. М. (1972) Собственные размерно-квантованнные полупроводники в поле сильной электромагнитной волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 7 (6). pp. 413-417.

Арутюнян, Г. М. and Акопян, Д. Г. (1980) Учет пространственной дисперсии при взаимодействии мощной электромагнитной волны с двухзонным полупроводником. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (2). pp. 79-85. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. and Арутюнян, С. В. and Гарегинян, Т. Н. (1996) Самодифракция мощного лазерного излучения в полупроводнике. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 31 (2). pp. 68-73. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. and Арутюнян, С. В. and Гарегинян, Т. Н. and Оганесян, М. К. (1997) Самодифракция высоких порядков для лазерного излучения в полупроводнике. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 32 (4). pp. 182-186. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. and Ерицян, Г. А. (1987) Эффект самовоздействия в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 22 (5). pp. 258-262. ISSN 0002-3035

Арутюнян, Г. М. and Казарян, Э. М. (1973) Собственное поглощение в тонких полупроводниковых пленках в поле сильной электромагнитной волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 8 (5). pp. 339-342.

Арутюнян, С. Л. (2003) Особенности водородоподобных систем в тонких полупроводниковых пленках при наличии сильного поперечного магнитного поля. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (4). pp. 265-271. ISSN 0002-3035

Арутюнян, С. Л. (2002) Влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в полупроводниках типа АIIIВv в условиях слабого легирования и слабой компенсации. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (5). pp. 297-302. ISSN 0002-3035

Арутюнян, С. Л. and Арутюнян, В. А. and Дживанян, А. А. and Демирчян , Г. О. (1996) Особенности края фундаментального поглощения рентгеновских лучей в размерно-квантованных полупроводниковых пленках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 31 (2). pp. 62-67. ISSN 0002-3035

Асатрян, А. Л. and Вартанян, А. Л. and Киракосян, А. А. (1994) Расчет подвижности квазидвумерных носителей заряда в полупроводниковых структурах методом энергетических потерь. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 29 (3). pp. 101-109. ISSN 0002-3035

Асриян, Г. В. and Гаспарян, Ф. В. and Мелконян, С. В. (2003) Влияние неквантующего магнитного поля на поведение 1/f шума в невырожденных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (3). pp. 173-177. ISSN 0002-3035

Б

Барсегян, Р. С. (1975) Экспериментальное исследование S-ячеек на основе транзистора с туннельной утечкой. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 10 (2). pp. 107-114.

Барсегян, С. Х. and Касаманян, З. А. (1978) О поглощении света в полупроводниковых тонких пленках с участием поверхностных состояний. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (1). pp. 25-28.

Брайловский, Е. Ю. and Григорян, Н. Е. and Памбухчян, Н. Х. (1986) О природе центров поглощения 1,0 эВ в облученных кристаллах GaAs. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 21 (3). pp. 145-149. ISSN 0002-3035

Бугаев, А. С. and Гуляев, Ю. В. and Денисенко, В. В. and Смбатян, Ж. Е. (1978) К теории акустоэлектронных явлений в полупроводниках в переменном электрическом поле. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 13 (3). pp. 195-201. ISSN 0002-3035

В

Ваганян, А. И. (2012) О термоэдс многодолинного полупроводника. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (1). pp. 52-55. ISSN 0002-3035

Ваганян, А. И. (1985) О термоэдс многодолинных полупроводников. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (6). pp. 341-343. ISSN 0002-3035

Ваганян, А. И. and Багиян, Е. М. (2014) О возможности экспериментального определения параметров зонной структуры многодолинных полупроводников. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (4). pp. 263-266. ISSN 0002-3035

Ваганян, А. И. and Багиян, Е. М. (2014) Определение концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (5). pp. 339-341. ISSN 0002-3035

Варданян, А. А. and Касаманян, З. А. (1980) Осцилляции локальной плотности состояний в гетероструктурах и МДП структурах. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (5). pp. 336-344. ISSN 0002-3035

Варданян, Р. Р. (1991) Определение параметров неосновных носителей заряда в полупроводниках в магнитном поле. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 26 (1). pp. 42-46. ISSN 0002-3035

Варданян, Р. Р. (1990) Фотомагнитный эффект в неоднородном полупроводнике. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 25 (2). pp. 106-108. ISSN 0002-3035

Вардапетян, Р. П. (1985) К методике измерения фоточувствительного затухания ультразвука в пьезополупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (1). pp. 18-22. ISSN 0002-3035

Вардапетян, Р. П. (1986) Зависимость амплитуды ультразвуковой волны в пьезополупроводниковой пластине от проводимости кристалла. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 21 (2). pp. 97-100. ISSN 0002-3035

Г

Гаспарян, А. С. and Казарян, Э. М. (1998) Примесные состояния в квазинульмерных полупроводниковых структурах с сильно сплюснутой (вытянутой) эллипсоидальной формой. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (2). pp. 70-77. ISSN 0002-3035

Гаспарян, А. С. and Казарян, Э. М. (1997) Теория примесных состояний в полупроводниковых микрокристаллах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 32 (2). pp. 83-90. ISSN 0002-3035

Гаспарян, А. С. and Казарян, Э. М. and Мхоян, К. А. (1998) Размерное квантование носителей заряда в полупроводниковых микрокристаллах эллипсоидальной формы. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (5). pp. 231-240. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Р. А. (1978) Квантовое акустоэлектрическое взаимодействие в тонких пьезополупроводниковых пленках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 13 (3). pp. 202-206. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Р. А. and Сардарян, В. С. (1974) О подвижности электронов в тонких полупрводниковых пленках в сильных электрических полях. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (6). pp. 525-527.

Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. (1998) Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si<Zn>. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (3). pp. 132-140. ISSN 0002-3035

Григорян, В. Г. and Казарян, А. М. (1985) Рассеяние электронов заряженными примесями в тонкой (квантующей) полупроводниковой пленке. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (2). pp. 81-84. ISSN 0002-3035

Д

Джотян, А. П. (1971) Плотность состояний в полупроводниковых соединениях типа А''' Вˇ. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 6 (1). pp. 12-15.

Джотян, А. П. (1976) Энергия диссоциациации биэкситонов в тонких полупроводниковых пленках соединений AIIIBV-AIIBVI. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 11 (4). pp. 268-272.

Джотян, А. П. and Казарян, Э. М. (1971) О концетрационной зависимости "оптической" эффективной массы электронов проводимости в полупроводниковых соединениях типа А'''Вˇ. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 6 (3). pp. 197-202.

Джотян, А. П. and Казарян, Э. М. and Каракашян, Ю. В. (1993) Поглощение света в тонкой квантующей полупроводниковой проволоке с непараболическим законом дисперсии носителей заряда. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 28 (4-6). pp. 150-157. ISSN 0002-3035

Джотян, А. П. and Казарян, Э. М. and Каракашян, Ю. В. and Чиркинян, А. С. (1994) Межзонное поглощение света в размерно-квантованных полупроводниковых пленках типа AIII BV. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 29 (3). pp. 67-72. ISSN 0002-3035

Джотян, А. П. and Казарян , Э. М. and Саркисян, Н. З. and Энфиаджян, Р. Л. (1978) Энергия связи иона биэкситона в сильном магнитном поле. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (5). pp. 416-418. ISSN 0002-3035

Джотян, А. П. and Погосян, Б. Г. (2000) Непрямые межзонные переходы в тонкой полупроводниковой пленке со сложным законом дисперсии в магнитном поле. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 35 (5). pp. 246-249. ISSN 0002-3035

Джотян, А. П. and Погосян, Б. Г. (1998) Межзонное поглощение света в полупроводнике с узкой запрещенной зоной в квантующем магнитном поле. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (2). pp. 64-69. ISSN 0002-3035

Димаксян, М. Л. (1985) К методу расчета сильнополевых характеристик полупроводников. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (6). pp. 322-326. ISSN 0002-3035

З

Захарянц, А. Г. and Малоян, А. Г. and Прокопьев, Е. П. (1979) Аннигиляция позитронов в области p-n-перехода в Si. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 14 (6). pp. 414-418. ISSN 0002-3035

Золян, Т. С. (1967) Определение теплопроводности жидких полупроводников. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 2 (6). pp. 437-439.

Золян, Т. С. (1974) Экспресс-метод измерения электропроводности расплавов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (3). pp. 248-251.

Золян, Т. С. (1978) Регулирование электрических свойств жидкого полупроводника. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (1). pp. 44-48. ISSN 0002-3035

Золян, Т. С. (1973) Высокотемпературный контактно-точечный диод на жидком полупроводнике. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 8 (3). pp. 220-223.

Золян, Т. С. (1982) Методика бесконтактных измерений электропроводности жидких полупроводников и расплавов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 17 (5). pp. 281-285. ISSN 0002-3035

И

Испирян, Н. П. (1972) О влиянии нелинейной поляризации на коэффициент усиления ультразвука в пьезополупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 7 (3). pp. 206-209.

К

Казарян, А. М. and Агаронян, К. Г. (1978) Поглощение света тонкой квантованной полупроводниковой проволокой, содержащей примесные центры. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (4). pp. 274-277. ISSN 0002-3035

Казарян, А. М. and Овасафян, К. И. (1978) Двухфотонное межзонное поглощение в полупроводниковой проволоке при наличии квантового размерного эффекта. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 13 (6). pp. 439-443. ISSN 0002-3035

Казарян, Э. М. and Григорян, В. Г. and Казарян, А. М. (1976) Внутризонное поглощение света в пространственно-ограниченных полупроводниковых средах. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 11 (5). pp. 351-359.

Казарян, Э. М. and Маилян, Г. Л. (1971) О температурной зависимости оптической эффективной массы электронов в полупроводниковых соединениях типа А'''Вˇ. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 6 (5). pp. 380-385.

Казарян, Э. М. and Маилян, Г. Л. and Энфиаджян, Р. Л. (1973) Рассеяние нелокализованного экситона на фононах в тонких квантованных полупроводниковых пленках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 8 (1). pp. 47-53.

Казарян, Э. М. and Маилян, Г. Л. and Энфиаджян, Р. Л. (1972) Непрямые переходы в тонких квантованных полупроводниковых пленках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 7 (5). pp. 361-367.

Казарян, Э. М. and Меликян, А. О. and Минасян, Г. Р. (1979) Межпримесное поглощение в полупроводниках в поле сильной электромагнитной волны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 14 (3). pp. 180-184. ISSN 0002-3035

Казарян, Э. М. and Петросян, Л. С. and Саркисян, А. А. (2002) Влияние границы перехода полупроводник-диэлектрик на электронные состояния в сферических квантовых точках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (2). pp. 120-128. ISSN 0002-3035

Казарян , Э. М. (1970) Плазменные колебания носителей заряда в постоянном однородном электрическом поле. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 5 (1). pp. 20-28.

Кальнев, Н. А. and Магден, И. Н. (1974) Корреляция механических и электрофизических свойств монокристалического кремния большого диаметра. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (6). pp. 532-534.

Карапетян, В. В. and Егиян, К. А. and Мартиросян, Р. Г. and Сагателян, Э. П. and Каджоян, Р. А. and Минаев, В. С. (1980) Исследование характеристик голографической записи информации в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-As-Se. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (3). pp. 215-220. ISSN 0002-3035

Караян, Г. С. and Джереджян, А. А. (1978) Полупроводниковые переключатели на 10 киловольт. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 13 (6). pp. 468-473. ISSN 0002-3035

Касаманян, З. А. (1970) О влиянии примеси на ультрафиолетовое поглощение в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 5 (1). pp. 10-19.

Касаманян, З. А. (1971) К теории концентрационного уширения примесных уровней в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 6 (2). pp. 116-123.

Касаманян, З. А. and Чалабян, М. А. (1988) Плотность собственных поверхностных состояний в случайном поле поверхности полупроводника. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 23 (6). pp. 323-328. ISSN 0002-3035

Касаманян , З. А. and Гаспарян, В. М. (1986) Циклотронный резонанс вблизи туннельно тонкого потенциального барьера в полупроводнике в продольном магнитном поле. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 21 (4). pp. 221-223. ISSN 0002-3035

Касаманян , З. А. and Чалабян, М. А. (1988) Закон дисперсии электрона в поверхностной подзоне в полупроводниках с узкой запрещенной зоной. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 23 (2). pp. 92-95. ISSN 0002-3035

Кечечян, К. О. (1982) Подвижность носителей заряда в очень чистых полупроводниках с винтовыми дислокациями. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 17 (5). pp. 255-260. ISSN 0002-3035

Кечечян, К. О. and Киракосян, А. А. (1981) Кинетика свободных носителей заряда в поле дислокационной стенки в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 16 (1). pp. 44-49. ISSN 0002-3035

Кечечян, К. О. and Киракосян, А. А. (1981) Подвижность носителей заряда в очень чистых полупроводниках с дислокациями. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 16 (5). pp. 356-360. ISSN 0002-3035

Кечиянц, А. М. and Мкртчян, В. Е. (1993) Механизм генерации аномального фотовольтаического отклика в керамических образцах YBαCuO. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 28 (4-6). pp. 158-164. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Гаспарян, Ш. Г. (2001) Ферроны в антиферромагнитной размерно-квантованной полупроводниковой пленке. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (3). pp. 134-141. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Гаспарян, Ш. Г. (2002) Темп релаксации импульса носителей заряда в размерно квантованной полупроводниковой проволоке в продольном магнитном поле. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (6). pp. 364-373. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Гаспарян, Ш. Г. (1994) Влияние среды на примесное рассеяние носителей заряда в тонкой полупроводниковой проволоке. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 29 (3). pp. 73-81. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Гаспарян, Ш. Г. (1990) Влияние деформации на сопротивление размерно квантованной полупроводниковой проволоки. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 25 (2). pp. 112-114. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Гаспарян, Ш. Г. (1988) Влияние деформации на сопротивление размерно-квантованной полупроводниковой пленки. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 23 (4). pp. 212-216. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Кумашян, М. К. and Асатрян, А. Л. (1998) Магнитная восприимчивость размерно квантованной полупроводниковой проволоки. Размерный переход «диамагнетик-парамагнетик» в проволоках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (2). pp. 55-63. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Кумашян, М. К. and Мхоян, К. А. and Саркисян, А. А. (1995) Поглощение света в полупроводнике с дислокациями при непрямых межзонных переходах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 30 (5). pp. 208-216. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Лантов, Х. (1978) Распад экситона Ваннье-Мотта на фононах в тонких полупроводниковых проволоках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (1). pp. 10-15.

Киракосян, А. А. and Мовсисян, Н. Г. and Гаспарян, Ш. Г. (2013) Потенциал точечного заряда в полупроводниковой гетероструктуре с цилиндрической симметрией. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 48 (2). pp. 125-135. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Саркисян, Э. А. (1984) Примесное поглощение в размерно-квантованной пленке. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 19 (3). pp. 129-134. ISSN 0002-3035

Киракосян, А. А. and Саркисян, Э. А. (1978) Непрямые переходы, связанные с шероховатостью поверхности квантованной полупроводниковой проволоки. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 13 (6). pp. 444-447.

Киракосян, А. А. and Шёпке, Р. (1975) Распад экситона на неоднородностях толщины тонкой квантованной полупроводниковой пленки. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 10 (6). pp. 463-467.

Кузанян, А. С. and Пашаян, С. Т. and Татоян, В. Т. (2014) Влияние условий спекания и лазерного излучения на электропроводность керамики CuO/Ag. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (1). pp. 44-53. ISSN 0002-3035

М

Маилян, Г. Л. (1983) О вкладе решеточного ангармонизма в температуру структурного фазового перехода в полупроводниках со свободными носителями заряда. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 18 (6). pp. 372-374. ISSN 0002-3035

Манаселян, А. Х. and Агасян, М. М. and Киракосян, А. А. (2001) Подвижность носителей заряда в размерно квантованной полупроводниковой проволоке с покрытием. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (5). pp. 275-284. ISSN 0002-3035

Манаселян, А. Х. and Казарян, А. В. and Киракосян, А. А. (2014) Спиновые взаимодействия в квантовом кольце с магнитной примесью. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (4). pp. 267-277. ISSN 0002-3035

Манаселян, А. Х. and Киракосян, А. А. (2003) Электронные и примесные состояния в сферической квантовой точке с покрытием. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (2). pp. 87-96. ISSN 0002-3035

Меликян, А. О. and Энфиаджян, Р. Л. (1983) Дисперсия показателя преломления резонансной электромагнитной волны в двухзонном полупроводнике. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 18 (2). pp. 128-131. ISSN 0002-3035

Мелконян, С. В. (2001) Механизм медленной релаксации равновесных флуктуаций функции распределения электронов в невырожденных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (2). pp. 74-80. ISSN 0002-3035

Мелконян, С. В. (2001) К вопросу о флуктуации подвижности носителей тока в полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (3). pp. 142-147. ISSN 0002-3035

Мелконян, С. В. (2002) Спектральная плотность равновесных 1/f-флуктуаций тока в однородных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (5). pp. 303-306. ISSN 0002-3035

Мелконян, С. В. and Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. (2003) К теории 1/f-флуктуации решеточной подвижности носителей тока в однородных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (1). pp. 29-35. ISSN 0002-3035

Мкртчян, А. Р. and Алексанян, Ал. Г. and Арамян, К. С. and Алексанян, А. А. (2016) О механизме роста силы оптических переходов в квантовых точках Ge, внедренных в матрицу Si. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 51 (2). pp. 235-243. ISSN 0002-3035

Мурадян, А. М. and Петросян, С. Г. (1982) Варизонный полупроводниковый лазер с оптической накачкой. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 17 (2). pp. 87-91. ISSN 0002-3035

Мусаелян, А. С. (2004) Оже-захват электронов краевой дислокацией в полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 39 (4). pp. 254-257. ISSN 0002-3035

Н

Неркарарян, Х. В. (1983) Об излучении равномерно движущихся зарядов в полупроводниках, содержащих электронно-дырочные капли. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 18 (1). pp. 52-54. ISSN 0002-3035

О

Овсепян, Р. К. and Погосян, А. Р. and Элбакян, Э. Е. (2015) Проводимость гранулированных структур на основе широкозонных полупроводников ZnO. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 50 (1). pp. 85-95. ISSN 0002-3035

П

Паносян, Ж. Р. and Аракелян, А. О. and Меликсетян, В. А. and Погосян, А. А. (1980) Некоторые особенности оптических и фотоэлектрических свойств рутила. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (4). pp. 293-300. ISSN 0002-3035

Погосян, Б. Ж. (2002) Влияние ограничивающей среды на энергию связи водородоподобной примеси в тонкой полупроводниковой проволоке типа А3В5. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (6). pp. 374-377. ISSN 0002-3035

Р

Романов, А. А. and Сардарян, В. С. (1970) Теория электрон-фононного увлечения в квантованных полупроводниковых пленках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 5 (2). pp. 92-97.

Романов, А. А. and Сардарян, В. С. (1970) Квантовый размерный эффект проводимости в пленке с примесями. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 5 (3). pp. 165-168.

С

Саакян, А. А. (2007) Флуктуация поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si – SiO2 при облучении и последующем отжиге. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (6А). pp. 382-388. ISSN 0002-3035

Саакян, А. А. and Ерицян, Г. Н. and Оганесян, А. С. and Мордкович, В. Н. (1985) О механизме образования поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник, облученных короткопробежными ионами. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (1). pp. 47-49. ISSN 0002-3035

Саакян, В. А. and Ерицян, Г. Н. (2005) Особенности образования радиационных дефектов при облучении монокристаллов кремния. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 40 (6). pp. 453-459. ISSN 0002-3035

Сардарян, В. С. (1970) К теории выпрямления тока в полупроводниковых пленках в сильном магнитном поле. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 5 (2). pp. 98-102.

Сардарян, В. С. and Вильмс, П. П. (1969) Коэффициент Холла, подвижность и магнитосопротивление в тонких полупроводниковых пленках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 4 (2). pp. 91-96.

Саркисян, А. Г. (1995) Преобразование солнечной энергии на переходе полупроводник-электролит. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 30 (5). pp. 217-232. ISSN 0002-3035

Т

Тарханян, Р. Г. (1966) Термоэдс в полупроводниках в сильном магнитном поле. ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 1 (2). pp. 66-74.

Теккозян, В. A. and Ли, К. and Бабаджанян, А. Ж. and Неркарарян, Х. В. (2014) Формирование экситонов в полупроводниковых наноструктурах при наличии электронно-дырочной плазмы. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (3). pp. 196-201. ISSN 0002-3035

Х

Хачатрян, А. А. (1979) О распространении ультразвука через полупроводящие пленки в квантующем электрическом поле. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 14 (3). pp. 220-222. ISSN 0002-3035

Хондкарян, Г. Д. and Гаспарян, Ф. В. (2015) Низкочастотные шумы контакта металл–полупроводник. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 50 (2). pp. 227-235. ISSN 0002-3035

Ш

Шмавонян, Г. Ш. (2008) Новые эффекты в сверхширокополосных полупроводниковых оптических усилителях с неидентичными квантовыми ямами. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (3). pp. 232-240. ISSN 0002-3035

This list was generated on Fri Oct 20 03:33:04 2017 AMT.