ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Items where Author is "Гаспарян, Ф. В."

Up a level
Export as [feed] RSS 2.0 [feed] RSS 1.0 [feed] Atom
Group by: Item Type | No Grouping
Jump to: Article
Number of items: 18.

Article

Гаспарян, Ф. В. (2017) К теории переноса тока в механически управляемых обрывных переходах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 52 (2). pp. 166-176.

Гаспарян, Ф. В. and Аракелян, А. А. and Хондкарян, Г. Д. (2016) Эффект смещения края поглощения в кремниевой нанопроволоке. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 51 (4). pp. 464-470. ISSN 0002-3035

Хондкарян, Г. Д. and Гаспарян, Ф. В. (2015) Низкочастотные шумы контакта металл–полупроводник. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 50 (2). pp. 227-235. ISSN 0002-3035

Оганесян, Р. В. and Хондкарян, Г. Д. and Алексанян, М. С. and Аракелян, В. М. and Семерджян, Б. О. and Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (2014) Статические и шумовые характеристики нанокомпозитных газовых сенсоров. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (4). pp. 241-251. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Ф. В. (2010) Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 45 (5). pp. 350-364. ISSN 0002-3035

Мхитарян, З. О. and Шатверян, А. А. and Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (2008) Шумы в пористых кремниевых структурах в воздухе и в условиях газовой адсорбции. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (3). pp. 204-210. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Ф. В. (2007) Влияние теплового эффекта на эффективность солнечного элемента. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (3). pp. 174-178. ISSN 0002-3035

Асриян, Г. В. and Гаспарян, Ф. В. and Мелконян, С. В. (2003) Влияние неквантующего магнитного поля на поведение 1/f шума в невырожденных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (3). pp. 173-177. ISSN 0002-3035

Мелконян, С. В. and Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. (2003) К теории 1/f-флуктуации решеточной подвижности носителей тока в однородных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 38 (1). pp. 29-35. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Ф. В. (2001) Низкочастотный шум и формула Хуга. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (6). pp. 355-362. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. and Буниатян, В. В. (2001) Физические процессы в солнечных элементах с внутренним тянущим полем. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 36 (4). pp. 210-218. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. (1998) Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si<Zn>. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (3). pp. 132-140. ISSN 0002-3035

Абрамян, Ю. А. and Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1996) К вопросу о фотопроводимости n+-n-n+- структур на основе кремния, легированного цинком. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 31 (1). pp. 33-40. ISSN 0002-3035

Гаспарян, Ф. В. and Мелконян, С. В. (1994) О корректности применения метода Ланжевена в низкочастотной области. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 29 (5). pp. 171-177. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. and Мелконян, С. В. (1985) Об отказе от «адиабатического приближения» при расчете шумов S-диодов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (4). pp. 211-216. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1980) Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (4). pp. 274-279. ISSN 0002-3035

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1977) Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 12 (2). pp. 123-128.

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1976) Влияние освещения S-диоды, изготовленные из кремния, компенсированного цинком. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 11 (6). pp. 449-457.

This list was generated on Wed Aug 22 05:36:38 2018 AMT.