ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Физические свойства изотипных nInSb-nGaAs гетеропереходов с резкой и плавной границей перехода

Алексанян, А. Г. and Авджян, К. Э. and Казарян, Р. К. and Матевосян, Л. А. (1997) Физические свойства изотипных nInSb-nGaAs гетеропереходов с резкой и плавной границей перехода. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 32 (2). pp. 100-112. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1891Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կտրուկ և սահուն սահմանով nInSb-nGaAs նույնատիպ հետերաանցումների ֆիզիկական հատկությունները: Physical characteristics of isotype nInSb-nGaAs heterojunctions with distinct or smooth interface.
    Uncontrolled Keywords: Ալեքսանյան Ա. Գ., Ավջյան Կ. Է., Ղազարյան Ռ. Ղ., Մաթևոսյան Լ. Ա., Alexanian A. G., Avdjian K. E., Kazarian R. K., Matevossian L. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 29 Jun 2012 14:50
    Last Modified: 05 Mar 2014 16:20
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/873

    Actions (login required)

    View Item