ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Импеданс варизонной структуры с двойной инжекцией при высоком уровне инжекции

Матевосян, К. Б. (1998) Импеданс варизонной структуры с двойной инжекцией при высоком уровне инжекции. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (6). pp. 292-295. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (532Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կրկնակի ինժեկցիայով վարիզոնային կառուցվածքի իմպեդանսը բարձր ինժեկցիայի մակարդակի դեպքում: Impedance of graded band-gap strukture with double injection in high injection level.
    Uncontrolled Keywords: Մաթևոսյան Կ. Բ., Matevossian K. B.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 27 Jun 2012 11:42
    Last Modified: 11 Mar 2014 16:29
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/851

    Actions (login required)

    View Item