ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si<Zn>

Гаспарян, Ф. В. and Арутюнян, В. М. (1998) Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si<Zn>. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (3). pp. 132-140. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1320Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Si<Zn>-ից պատրաստված խառնուրդային ֆոտոընդունիչի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները: Photoelectrical properties of impurity photodiode made of Si<Zn>.
    Uncontrolled Keywords: Գասպարյան Ֆ. Վ., Հարությունյան Վ. Մ., Gasparyan F. V., Aroutiounian V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 25 Jun 2012 11:59
    Last Modified: 11 Mar 2014 15:02
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/819

    Actions (login required)

    View Item