ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов

Арутюнян, В. М. and Буниатян, В. В. (1998) Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 33 (1). pp. 22-30. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1147Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Թռիչքային տիրույթում խառնուրդների բաշխման բնույթի ազդեցությունը ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների բարձրահաճախական բնութագրերի վրա: Influence of profile of doping density in the transit-time region on the microwave characteristics of baritt diodes.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Բունիաթյան Վ. Վ., Aroutiounian V. M., Buniatian V. V.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 22 Jun 2012 10:07
    Last Modified: 11 Mar 2014 12:59
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/803

    Actions (login required)

    View Item