ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Действие различных видов облучения на параметры кремниевых полупроводниковых приборов

Саакян, В. А. (2008) Действие различных видов облучения на параметры кремниевых полупроводниковых приборов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (5). pp. 348-354. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (159Kb) | Preview

    Abstract

    Большее внимание уделено транзисторам как наименее радиационно стойким структурам. Показано, что при протонном облучении изменение соответствующих параметров происходит при сравнительно меньших дозах облучения. Հատուկ ուշադրություն է դարձված տրանզիստորների վրա` որպես ճառագայթահարման տեսակետից առավել անկայուն կառուցվածք: Ցույց է տրված, որ սարքերի հատկությունները փոփոխվում են պրոտոնների ավելի ցածր դոզաների դեպքում` համեմատած մյուս ճառագայթումներին: Special attention was given on the transistors as a most sensitive structure to irradiation. It was shown that corresponding parameters change at lower doses in the case of proton irradiation in comparison with other irradiations.

    Item Type: Article
    Additional Information: Սիլիցիումային կիսահաղորդչային սարքերի պարամետրերի վրա տարբեր ճառագայթահարումների ազդեցությունը։ Influence of different type irradiation on the parameters of silicon semiconductor devices.
    Uncontrolled Keywords: Սահակյան Վ. Ա., Sahakyan V. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 08 Jun 2012 12:11
    Last Modified: 02 Apr 2014 17:26
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/788

    Actions (login required)

    View Item