ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Время жизни неравновесных носителей заряда в базе полупроводникового диода c p–n-переходом при произвольных уровнях инжекции

Арамян, Н. С. (2008) Время жизни неравновесных носителей заряда в базе полупроводникового диода c p–n-переходом при произвольных уровнях инжекции. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (4). pp. 283-292. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (154Kb) | Preview

    Abstract

    В приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе полупроводникового диода с p–n-переходом получена формула для расчета времени жизни, пригодная при произвольных уровнях инжекции. p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում անհավասարակշռված լիցքատարների էքսպոնենտային բախշման մոտավորությամբ ստացված է բանաձև` կյանքի տևողությունը հաշվելու համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: In the approximation of exponential distribution of unequilibrium charge carriers in the base of semiconductor p–n-junction diode, a formula for lifetime calculation is obtained, which may be used at arbitrary injection levels.

    Item Type: Article
    Additional Information: Անհավասարակշռված լիցքատարների կյանքի տևողությունը p–n-անցումով կիսահաղորդչային դիոդի բազայում ինժեկցիայի կամայական մակարդակի դեպքում։ Lifetime of non-equilibrium charge carriers in the base of p–n-junction semiconductor diode at arbitrary injection levels.
    Uncontrolled Keywords: Արամյան Ն. Ս., Aramyan N. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 06 Jun 2012 14:36
    Last Modified: 02 Apr 2014 15:53
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/779

    Actions (login required)

    View Item