ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Пленки ZnO:Li p-типа для получения p-n-переходов

Агамалян, Н. Р. and Овсепян, Р. К. and Петросян, С. И. (2008) Пленки ZnO:Li p-типа для получения p-n-переходов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (4). pp. 274-282. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (181Kb) | Preview

    Abstract

    Исследованы фотоэлектрические свойства пленок ZnO c акцепторной примесью ионов лития, полученные методом электронно-лучевого напыления. Получены пленки с p-типом проводимости. Հետազոտված են լիթիումի իոնների ակցեպտորային խառնուրդով ZnO թաղանթների լուսաէլեկտրական հատկությունները, որոնք ստացվել են էլեկտրոնաճառագայթային փոշենստեցումով: Ստացված են p-տիպի հաղորդականությամբ թաղանթներ: Photoelectrical properties of ZnO films doped with Li acceptor impurity and prepared by electronbeam evaporation method were investigated. The obtained films possessed p-type conductivity.

    Item Type: Article
    Additional Information: p-տիպի ZnO:Li թաղանթներ p–n-անցումներ ստանալու համար։ p-type ZnO films for preparation of p-n-junctions.
    Uncontrolled Keywords: Աղամալյան Ն. Ռ., Հովսեփյան Ռ. Կ., Պետրոսյան Ս. Ի., Aghamalyan N. R., Hovsepyan R. K., Petrosyan S. I.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 06 Jun 2012 14:22
    Last Modified: 02 Apr 2014 15:32
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/778

    Actions (login required)

    View Item