ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Температурная зависимость темновых вольт-амперных характеристик изотипной структуры nInSb-nPbTe-nCdTe

Авджян, К. Э. and Варданян, Г. Г. and Хачатрян, А. М. (2008) Температурная зависимость темновых вольт-амперных характеристик изотипной структуры nInSb-nPbTe-nCdTe. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (3). pp. 221-223. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (66Kb) | Preview

    Abstract

    Приведены результаты исследований температурной зависимости темновых вольт-амперных характеристик структуры nInSb–nPbTe–nCdTe. The temperature dependence of the dark current-voltage characteristics of an nInSb-nPbTe-nCdTe structure is investigated.

    Item Type: Article
    Additional Information: nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ կառուցվածքի մթնային վոլտամպերային բնութագրերի ջերմաստիճանային կախվածությունը։ Temperature dependence of dark current–voltage characteristics of isotype nInSb–nPbTe–nCdTe structure.
    Uncontrolled Keywords: Ավջյան Կ. Է., Վարդանյան Գ. Հ., Խաչատրյան Ա. Մ., Avjyan K. E., Vardanyan G. H., Khachatryan A. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 05 Jun 2012 13:16
    Last Modified: 02 Apr 2014 14:32
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/768

    Actions (login required)

    View Item