ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

Авджян, К. Э. and Варданян, Г. Г. and Григорян, Р. П. and Хачатрян, А. М. (2008) Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 43 (3). pp. 216-220. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (99Kb) | Preview

    Abstract

    Методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения изготовлена изотипная структура nInSb-nPbTe-nCdTe. Исследована спектральная зависимость фотоотклика полученной структуры при температуре 120 K. Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված է nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ անցում: Հետազոտված է ստացված կառուցվածքի ֆոտոարձագանքը 120 K ջերմաստիճանում: An nInSb–nPbTe–nCdTe isotype junction was prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique. The spectral response of such structure was investigated at the temperature 120 K.

    Item Type: Article
    Additional Information: Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված nInSb–nPbTe–nCdTe իզոտիպ կառուցվածքի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները։ Photoelectrical properties of nInSb–nPbTe–nCdTe isotype structure prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique.
    Uncontrolled Keywords: Ավջյան Կ. Է., Վարդանյան Գ. Հ., Գրիգորյան Ռ. Պ., Խաչատրյան Ա. Մ., Avjyan K. E., Vardanyan G. H., Grigoryan R. P., Khachatryan A. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 05 Jun 2012 12:56
    Last Modified: 02 Apr 2014 14:30
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/767

    Actions (login required)

    View Item