ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Вынужденное комбинационное рассеяние на внутризонных переходах в многослойной размерно-квантованной полупроводниковой структуре в квантующем магнитном поле

Алексанян, А. Г. and Еремян, А. С. (2000) Вынужденное комбинационное рассеяние на внутризонных переходах в многослойной размерно-квантованной полупроводниковой структуре в квантующем магнитном поле. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 35 (6). pp. 299-308. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1439Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Ներգոտիական անցումներով հարկադրական Ռամանյան ցրումը բազմաշերտ չափաքվանտացված մագնիսական դաշտում։ Stimulated Raman scattering on intraband transitions in a size-quantized multilayer semiconductor structure in a quantizing magnetic field.
    Uncontrolled Keywords: Ալեքսանյան Ա. Գ., Երեմյան Ա. Ս., Alexanian A. G., Yeremyan A. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 25 May 2012 12:04
    Last Modified: 13 Mar 2014 10:30
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/730

    Actions (login required)

    View Item