ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в полупроводниках типа АIIIВv в условиях слабого легирования и слабой компенсации

Арутюнян, С. Л. (2002) Влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в полупроводниках типа АIIIВv в условиях слабого легирования и слабой компенсации. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 37 (5). pp. 297-302. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (742Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունն АIIIВv տիպի թույլ լեգիրված և թույլ համակշռված կիսահաղորդչի հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա։ Influence of a coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in low-doped and low-compensated АIIIВv semiconductors.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Ս. Լ., Haroutunian S. L.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 04 May 2012 12:10
    Last Modified: 18 Mar 2014 14:17
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/599

    Actions (login required)

    View Item