ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Распределение электрического поля в базе полупроводникового диода с р-п переходом

Арамян, Н. С. (2007) Распределение электрического поля в базе полупроводникового диода с р-п переходом. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (1). pp. 51-56. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (93Kb) | Preview

    Abstract

    Получено выражение для распределения электрического поля в базе полупроводникого диода с p-n переходом, справедливое при произвольных уровнях инжекции, в приближении экспоненциальности распределения неравновесных носителей в базе диода. Կիսահաղորդչային p-n անցումով դիոդի համար ստացված է արտահայտություն բազայում էլեկտրական դաշտի բաշխման համար, որը կիրառելի է ինժեկցիայի ցանկացած մակարդակի դեպքում: The electric field distribution in the base of a semiconductor p-n junction diode is obtained, which is valid at arbtrary injection levels, in the exponential distribution approximation for nonequilibrium carriers in the diode base.

    Item Type: Article
    Additional Information: Էլեկտրական դաշտի բաշխումը կիսահաղորդչային p-n անցումով դիոդի բազայում; Electric field distribution in the base of a semiconductor p-n junction diode
    Uncontrolled Keywords: Արամյան Ն. Ս., Aramyan N. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 03 Apr 2012 15:29
    Last Modified: 03 Oct 2019 06:10
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/401

    Actions (login required)

    View Item