Петросян, С. Г. and Хачатрян, В. А. and Нерсесян, С. Р. (2020) Влияние поверхностной рекомбинации на напряжение холостого хода солнечного элемента на основе одиночной нанопроволоки с радиальным p-n-переходом. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 55 (3). pp. 343-357. ISSN 0002-3035
![[img]](http://physics.asj-oa.am/style/images/fileicons/application_pdf.png) | PDF Download (639Kb) |
Abstract
Предложена аналитическая модель для изучения влияния поверхностной рекомбинации на характеристики солнечного элемента на основе нанопроволоки с радиальным p-n-переходом, образованным между ее «сердцевиной» и «оболочкой» разного типа проводимости. Աշխատանքում առաջարկված է անալիտիկական մոդել տարբեր տիպի հաղորդականությամբ` միջուկ-պատյան կառուցվածքով և շառավղային p-n-անցումով օժտված միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի բնութագրերի վրա մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցության գնահատման համար: An analytical model is proposed for studying the effect of surface recombination on the characteristics of a solar cell based on a nanowire with a radial p-n junction formed between its ‘core’ and ‘shell’ of different types of conductivity.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Additional Information: | Մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցությունը շառավղային p-n-անցումով միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի պարապ ընթացքի լարման վրա; The Effect of Surface Recombination on the Open Circuit Voltage of a Solar Cell Based on a Single Nanowire with a Radial p-n-Junction |
| Uncontrolled Keywords: | Պետրոսյան Ս. Գ., Խաչատրյան Վ. Ա., Ներսեսյան Ս. Ռ., Petrosyan S. G., Khachatryan V. A., Nersesyan S. R. |
| Subjects: | Q Science > QC Physics |
| Divisions: | UNSPECIFIED |
| Depositing User: | Professor Vladimir Aroutiounian |
| Date Deposited: | 15 Jul 2020 17:58 |
| Last Modified: | 17 Jul 2020 11:08 |
| URI: | http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3970 |
Actions (login required)
| View Item |
