ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние поверхностной рекомбинации на напряжение холостого хода солнечного элемента на основе одиночной нанопроволоки с радиальным p-n-переходом

Петросян, С. Г. and Хачатрян, В. А. and Нерсесян, С. Р. (2020) Влияние поверхностной рекомбинации на напряжение холостого хода солнечного элемента на основе одиночной нанопроволоки с радиальным p-n-переходом. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 55 (3). pp. 343-357. ISSN 0002-3035

[img] PDF
Download (639Kb)

    Abstract

    Предложена аналитическая модель для изучения влияния поверхностной рекомбинации на характеристики солнечного элемента на основе нанопроволоки с радиальным p-n-переходом, образованным между ее «сердцевиной» и «оболочкой» разного типа проводимости. Աշխատանքում առաջարկված է անալիտիկական մոդել տարբեր տիպի հաղորդականությամբ` միջուկ-պատյան կառուցվածքով և շառավղային p-n-անցումով օժտված միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի բնութագրերի վրա մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցության գնահատման համար: An analytical model is proposed for studying the effect of surface recombination on the characteristics of a solar cell based on a nanowire with a radial p-n junction formed between its ‘core’ and ‘shell’ of different types of conductivity.

    Item Type: Article
    Additional Information: Մակերևույթային ռեկոմբինացիայի ազդեցությունը շառավղային p-n-անցումով միայնակ նանոլարի վրա հիմնված արեգակնային տարրի պարապ ընթացքի լարման վրա; The Effect of Surface Recombination on the Open Circuit Voltage of a Solar Cell Based on a Single Nanowire with a Radial p-n-Junction
    Uncontrolled Keywords: Պետրոսյան Ս. Գ., Խաչատրյան Վ. Ա., Ներսեսյան Ս. Ռ., Petrosyan S. G., Khachatryan V. A., Nersesyan S. R.
    Subjects: Q Science > QC Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 15 Jul 2020 17:58
    Last Modified: 17 Jul 2020 11:08
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3970

    Actions (login required)

    View Item