ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li

Овсепян, Р. К. and Агамалян, Н. Р. and Кафадарян, Е. А. and Аракелян, А. А. and Мнацаканян, Г. Г. and Петросян, С. И. (2020) Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 55 (2). pp. 228-239. ISSN 0002-3035

[img] PDF
Download (1307Kb)

    Abstract

    Исследованы шумовые характеристики полевых транзисторов на основе пленок ZnO:Li, полученных с использованием диффузной технологии. Приведены результаты экспериментального исследования шумовых характеристик тока стока, а именно: взрывной шум и 1/f-шум. Спектральная плотность шумов тока стока в низкочастотном диапазоне (10–5000 Гц) имеет классическую 1/f-зависимость. Обнаружено, что при малых концентрациях акцепторной примеси наблюдается 1/f-шум, а при увеличении концентрации акцепторной примеси превалирует взрывной шум. Հետազոտված են դիֆուզ տեխնոլոգիայի կիրառմամբ ստացված ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա դաշտային տրանզիստորների աղմուկային բնութագրերը: Բերված են արտահոսքի հոսանքի աղմուկային բնութագրերի փորձարարական հետազոտության արդյունքները, այսինքն` պատահական հեռագրական ազդանշանը և 1/f-աղմուկը: Արտահոսքի հոսանքի աղմուկների սպեկտրալ խտությունը հաճախությունների ցածրհաճախային տիրույթում (10–5000 Հց) ունի դասական 1/f- կախում: Հայտնաբերվել է, որ ակցեպտորային խառնուկի փոքր կոնցենտրացիաների դեպքում դիտվում է 1/f-աղմուկ, իսկ ակցեպտորային խառնուկի կոնցենտրացիայի մեծացման դեպքում գերակշռում է պատահական հեռագրական ազդանշանը: The noise characteristics of field-effect transistors based on ZnO:Li films obtained by the diffuse technology are studied. The results of an experimental study of the noise characteristics of the drain current are presented, namely, the Random Telegraph Signal and the 1/f-noise. The spectral density of the drain current noises in the low-frequency range (10–5000 Hz) has a classical 1/f dependence. It was found that at low concentrations of the acceptor impurity, 1/f-noise is observed, and with an increase in the acceptor impurity concentration the Random Telegraph Signal prevails.

    Item Type: Article
    Additional Information: Էլեկտրական աղմուկները դաշտային տրանզիստորներում` ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա; Electrical Noise in Field-Effect Transistors Based on ZnO: Li Films
    Uncontrolled Keywords: Հովսեփյան Ռ. Կ., Աղամալյան Ն. Ռ., Կաֆադարյան Ե. Ա., Առաքելյան Ա. Ա., Մնացականյան Հ. Գ., Պետրոսյան Ս. Ի., Hovsepyan R. K., Aghamalyan N. R., Kafadaryan Y. A., Arakelyan A. A., Mnatcakanyan H. G., Petrosyan S. I.
    Subjects: Q Science > QC Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 19 Jun 2020 16:57
    Last Modified: 19 Jun 2020 16:57
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3954

    Actions (login required)

    View Item