ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Использование МДП-сенсоров радиационных излучений в режимах сильнополевой инжекции электронов

Андреев, В. В. and Бондаренко, Г. Г․ and Андреев, Д. В. and Столяров, А. А․ (2020) Использование МДП-сенсоров радиационных излучений в режимах сильнополевой инжекции электронов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 55 (2). pp. 205-217. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (694Kb) | Preview

    Abstract

    Предложена модель, описывающая изменение зарядового состояния МДП-структур и сенсоров на их основе в условиях одновременного воздействия радиационной ионизации и сильнополевой инжекции электронов из полупроводника. В предложенной модели проводится учет взаимодействия инжектированных электроhttps://smmok-fb.ru/offer/indexнов с дырками, генерируемыми радиационной и сильнополевой ионизацией и захватываемыми на ловушки у границы раздела пленки SiO2 с полупроводником, а также генерации поверхностных состояний при аннигиляции части дырок в процессе их взаимодействии с инжектированными электронами․ A model is proposed that describes the change in the charge state of metal-insulatorsemiconductor (MIS) structures and sensors made from it’s under the conditions of the simultaneous effect of radiation ionization and high-field injection of electrons from a semiconductor. The proposed model takes into account the interaction of injected electrons with holes generated by radiation and high-field ionization and trapped at the interface of the SiO2 film with a semiconductor, as well as the generation of surface states during the annihilation of part of holes during their interaction with injected electrons. It is shown that the MIS sensor, where the high-field injection of electrons into the dielectric film takes place, can be used to control the intensity of radiation by determining the radiation ionization current from the time dependence of the voltage incident on the sensor using the proposed model. It has been established that in the high-field electron injection mode, a significant increase in the dose sensitivity of MIS sensors is possible, but at the same time, the operating time and dose range of the MIS sensor can be significantly reduced.

    Item Type: Article
    Additional Information: Use of MIS Sensors of Radiation in High-Field Electron Injection Modes
    Uncontrolled Keywords: Andreev V. V., Bondarenko G. G., Andreev D. V., Stolyarov A. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Nuclear Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 19 Jun 2020 16:43
    Last Modified: 19 Jun 2020 16:43
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3951

    Actions (login required)

    View Item