ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния при адсорбции моноокиси углерода

Мхитарян, З. О. and Шатверян, А. А. and Арутюнян, В. М. (2007) Вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния при адсорбции моноокиси углерода. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (4). pp. 236-241. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (216Kb) | Preview

    Abstract

    Измерены вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния, пористость которого равна 73%, при адсорбции газа (моноокиси углерода) при комнатной температуре. Չափված են վոլտ-ամպերային բնութագրերը (ՎԱԲ) ծակոտկեն սիլիցիումի կառուցվածքներում, որտեղ ծակոտկելիությունը հավասար է 73%: Չափումները կատարված են գազային ադսորբցիայի ներքո սենյակային ջերմաստիճանում: Current-voltage characteristics (CVC) of structures with a layer of porous silicon, porosity of which is equal to 73%, are measured at the adsorption of carbon monoxide at room temperature.

    Item Type: Article
    Additional Information: Ծակոտկեն սիլիցիումի շերտ ունեցող կառուցվածքների վոլտ-ամպերային բնութագրերը CO-ի ադսորբցիայի ժամանակ։ Current-voltage characteristics of structures with a porous silicon layer at the adsorption of carbon monoxide.
    Uncontrolled Keywords: Մխիթարյան Զ. Հ., Շատվերյան Ա. Ա., Հարությունյան Վ. Մ., Mkhitaryan Z. H., Shatveryan A. A., Aroutiounian V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 02 Apr 2012 15:32
    Last Modified: 26 Mar 2014 13:53
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/391

    Actions (login required)

    View Item