ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Полевой транзистор на основе оксида цинка с использованием диффузной технологии

Овсепян, Р. К. and Агамалян, Н. Р. and Кафадарян, Е. А. and Аракелян, А. А. and Мнацаканян, Г. Г. and Петросян, С. И. (2019) Полевой транзистор на основе оксида цинка с использованием диффузной технологии. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 54 (3). pp. 384-395. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (652Kb) | Preview

    Abstract

    На основе разработанной авторами технологии локального диффузного легирования определенных участков плёнки ZnO донорной (Ga) и акцепторной (Li) примесями создан оптически прозрачный полевой транзистор с каналом n-типа. В качестве изолятора затвора использовались плёнки MgF2. Исследовались полевой эффект и темновые электрические характеристики полученных структур. Разработаны полевые фототранзисторы на основе этих структур. Исследовались фотоэлектрические характеристики полученных полевых фототранзисторов и предложен механизм фотоэлектрического усиления в них. ZnO թաղանթի որոշակի տեղամասերի` դոնորային (Ga) և ակցեպտորային (Li)խառնուկներով լոկալ դիֆուզ լեգիրման մշակված տեխնոլոգիայի հիման վրա ստեղծված է n-տիպի կանալով թափանցիկ դաշտային տրանզիստոր: Որպես փականակի մեկուսիչ օգտագործվել է MgF2-ի թաղանթ: Հետազոտվել են ստացված կառուցվածքների մթնային էլեկտրական բնութագրերը և դաշտային էֆեկտը: Այդ կառուցվածքների հիման վրա մշակված են դաշտային ֆոտոտրանզիստորներ: Հետազոտվել են ստացված դաշտային ֆոտոտրանզիստորների ֆոտոէլեկտրական բնութագրերը, և առաջարկվել է նրանցում ֆոտոէլեկտրական ուժեղացման մեխանիզմը: Based on the developed technology of local diffusion doping of certain parts of the ZnO film of donor (Ga) and acceptor (Li) impurities, a transparent field effect transistor with n-type channel was manufactured. MgF2 films were used as a gate insulator. The field effect and dark electrical characteristics of the structures were investigated. Field phototransistors based on these structures have been developed. The photoelectric characteristics of the field phototransistors were investigated, and the mechanism of photoelectric amplification was proposed.

    Item Type: Article
    Additional Information: Դաշտային տրանզիստոր ցինկի օքսիդի հիման վրա դիֆուզ տեխնոլոգիայի օգտագործմամբ; Field-Effect Transistor Based on Zinc Oxide Using Diffusion Technology
    Uncontrolled Keywords: Հովսեփյան Ռ. Կ., Աղամալյան Ն. Ռ., Կաֆադարյան Ե. Ա., Առաքելյան Ա. Ա., Մնացականյան Հ. Գ., Պետրոսյան Ս. Ի., Hovsepyan R. K., Aghamalyan N. R., Kafadaryan Y. A., Arakelyan A. A., Mnatcakanyan H. G., Petrosyan S. I.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Fluids
    Q Science > QC Physics > Solid State Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 10 Oct 2019 16:31
    Last Modified: 19 Jun 2020 16:53
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3765

    Actions (login required)

    View Item