ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Механизм токопереноса в гетеропереходе p-InSb–n-CdTe

Петросян, С. Г. and Матевосян, Л. А. and Авджян, К. Э. and Нерсесян, С. Р. (2019) Механизм токопереноса в гетеропереходе p-InSb–n-CdTe. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 54 (2). pp. 198-205. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (397Kb) | Preview

    Abstract

    На основе анализа прямой ветви вольт-амперной характеристики экспериментально подтверждено наличие двух механизмов переноса заряда через гетеропереход р-InSb–n-CdTe, полученного методом лазерно-импульсного осаждения. При относительно небольших напряжениях внешнего смещения (0.03 В < U < 0.15 В) ток удовлетворительно согласуется с выражением I ~ exp(qU/ηkT) с коэффициентом идеальности η = 1. Выше 0.18 В вольт-амперная характеристика подчиняется закону I ~ U 3/2 с последующим выходом на линейный участок (напряжение отсечки – 0.47 В). Дана теоретическая модель токопрохождения с учетом особенностей разрыва зон в гетеропереходе, приводящей к возникновению инверсионного слоя вблизи границы раздела. Based on the analysis of the forward current-voltage characteristics of the p-InSb–n-CdTe heterojunction, fabricated by a method of pulsed laser deposition, the existence of two charge injection mechanisms was experimentally confirmed. At relatively small external bias voltages (0.03 V < U < 0.15 V), the current is in satisfactory agreement with the expression I ~ exp (qU/ηkT) with ideality factor η = 1. Above 0.18 V, the current-voltage characteristic obeys the law I ~ U 3/2 with a subsequent exit to the linear part (current cut-off voltage – 0.47 V). A theoretical model of current transport is given taking into account the peculiarities of the heterojunction band bending, leading to the appearance of inversion layer near the interface.

    Item Type: Article
    Additional Information: Current Transport Mechanism in p-InSb–n-CdTe Heterojunction
    Uncontrolled Keywords: Petrosyan S. G., Matevosyan L. M., Avjyan K. E., Nersesyan S. R.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 27 Jun 2019 18:28
    Last Modified: 12 Oct 2019 16:49
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3744

    Actions (login required)

    View Item