ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Межзонное поглощение и фотолюминесценция в наносферической ядро/слой/слой гетероструктуре InP/InAs/InP

Арутюнян, В. А. and Мкртчян, М. А. and Казарян, Э. М. and Айрапетян, Д. Б. (2019) Межзонное поглощение и фотолюминесценция в наносферической ядро/слой/слой гетероструктуре InP/InAs/InP. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 54 (1). pp. 44-60. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (944Kb) | Preview

    Abstract

    В приближении изотропной эффективной массы и в режиме сильного размерного квантования теоретически рассмотрены одночастичные состояния носителей заряда в наносферической гетероструктуре InP/InAs/InP. Приведены результаты численных расчетов энергетических уровней носителей заряда при различной толщине квантующего слоя InAs указанной гетерофазной структуры. Показано, что соответствующим выбором толщины слоя возможно добиться желаемого значения и положения уровней размерного квантования носителей заряда в слое. Рассмотрены также межзонные оптические переходы в слое InAs. Իզոտրոպ արդյունարար զանգվածի մոտավորության շրջանակներում և ուժեղ չափային քվանտացման ռեժիմում տեսականորեն դիտարվել են լիցքակիրների մեկմասնիկային նվիճակները նանոգնդային InP/InAs/InP հետերոկառուցվածքում: Բերվել են քվանտացնող InAs շերտի հետերոկառուցվածքային համակարգի տարբեր հաստությունների համար լիցքակիրների էներգիական մակարդակների թվային հաշվարկները: Ցույց է տրվել, որ շերտի համապատասխան հաստության ընտրությամբ կարելի է ստանալ շերտում գտնվող լիցքակրի էներգիական մակարդակի ցանկալի արժեքը և դիրքը: Դիտարկվել են նաև միջգոտիական օպտիկական անցումները InAs շերտում: Հաշվարկվել են InAs շերտի արգելված գոտու արդյունարար լայնացման արժեքը՝ կախված շերտի հաստությունից: Single-particle states of charge carriers in a nanospherical InP/InAs/InP heterostructure are theoretically considered in the isotropic effective mass approximation and in the regime of strong size quantization. Results of numerical calculations of the energy levels of charge carriers at different thicknesses of the quantizing InAs layer of the indicated heterophase structure are presented. It is shown that it is possible to achieve the desired value and position of the size quantization levels of charge carriers in the layer by appropriate choice of the layer thickness. Interband optical transitions in the InAs layer are also considered. Values of the effective broadening of the band gap of the InAs layer as a function of the layer thickness are calculated.

    Item Type: Article
    Additional Information: Միջգոտիական կլանումը և ֆոտոլյումինեսցենցիան նանոգնդային InP/InAs/InP միջուկ/շերտ/շերտ հետերոկառուցվածքում; Interband Absorption and Photoluminescence in Nanospherical InP/InAs/ InP Core/Shell/Shell Heterostructure
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Ա., Մկրտչյան Մ. Ա., Ղազարյան Է. Մ., Հայրապետյան Դ. Բ., Harutyunyan V. A., Mkrtchyan M. A., Kazaryan E. M., Hayrapetyan D. B.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 10 Apr 2019 18:32
    Last Modified: 09 Oct 2019 18:19
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3729

    Actions (login required)

    View Item