ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Флуктуация поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si – SiO2 при облучении и последующем отжиге

Саакян, А. А. (2007) Флуктуация поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si – SiO2 при облучении и последующем отжиге. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 42 (6А). pp. 382-388. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (112Kb) | Preview

    Abstract

    Измерением параметров поверхностных состояний исследованы флуктуации поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si–SiO2, вызванные облучением частицами высокой энергии (электроны с энергией 50 МэВ и ионы мышьяка с энергией 40 кэВ) и последующим отжигом. Մակերևութային մակարդակների պարամետրերի չափման մեթոդով SiO2-Si կառուցվածքներում ուսունասիրված է կիսահաղորդչի մակերևութային պոտենցիալի ֆլուկտուացիան տարբեր տեսակի բարձր էներգիայով օժտված մասնիկներով ճառագայթահարումից (50 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոններ և 40 կէՎ էներգիայով արսենի իոններ) և թրծումից հետո: Fluctuations of the semiconductor surface potential in a Si–SiO2 structure induced by irradiations with various high-energy particles (electrons with the 50 MeV energy and arsenic ions with the 40 keV energy) and by the subsequent annealing are investigated by measurements of semiconductor interface state parameters.

    Item Type: Article
    Additional Information: Կիսահաղորդչի մակերևութային պոտենցիալի ֆլուկտուացիան Si–SiO2 կառուցվածքներում ճառագայթահարումից և թրծումից հետո։ Fluctuation of the semiconductor surface potential in Si–SiO2 structure after irradiation and subsequent annealing.
    Uncontrolled Keywords: Սահակյան Ա. Ա., Sahakyan A. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 28 Mar 2012 14:44
    Last Modified: 26 Mar 2014 13:22
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/360

    Actions (login required)

    View Item