ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Эффект смещения края поглощения в кремниевой нанопроволоке

Гаспарян, Ф. В. and Аракелян, А. А. and Хондкарян, Г. Д. (2016) Эффект смещения края поглощения в кремниевой нанопроволоке. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 51 (4). pp. 464-470. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (556Kb) | Preview

    Abstract

    Исследованы темновые и фото вольт–амперные характеристики (ВАХ), спектр поглощения и фоточувствительность полевого транзистора на основе кремниевой нанопроволоки. Հետազոտված են սիլիցիումային նանոլարից պատրաստված դաշտային տրանզիստորի մթնային և լուսային վոլտ-ամպերային բնութագրերը (ՎԱԲ): The dark and photo current–voltage characteristics (CVC), absorption spectrum and photosensitivity of the field effect transistor based on silicon nanowires were investigated.

    Item Type: Article
    Additional Information: Կլանման եզրի շեղման երևույթը սիլիցիումային նանոլարում; Shifting effect of the absorption edge in the silicon nanowire
    Uncontrolled Keywords: Գասպարյան Ֆ. Վ., Առաքելյան Ա. Հ., Խոնդկարյան Հ. Դ., Gasparyan F. V., Arakelyan A. H., Khondkaryan H. D.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 14 Nov 2016 15:30
    Last Modified: 16 Oct 2019 10:05
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3593

    Actions (login required)

    View Item