ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Мемристоры на основе легированных литием пленок ZnO

Элбакян, Э. Е. and Овсепян, Р. К. and Погосян, А. Р. (2015) Мемристоры на основе легированных литием пленок ZnO. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 50 (3). pp. 368-374. ISSN 0002-3035

[img] PDF
Download (382Kb)

    Abstract

    Разработан и изучен мемристорный элемент памяти ReRAM. Разработанная структура состоит из диода Шоттки (1D) на основе гетероструктуры ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO и мемристора (1R) на основе гетероструктуры Pt/ZnO/ZnO:Li/Al. Մշակված և հետազոտված է օպերատիվ հիշողության սարքի մեմրիստորային տարր (resistance random access memory – ReRAM)։ Մշակված կառուցվածքը բաղկացած է Շոտկիի դիոդից (1D) հիմնված ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO հետերոկառուցվածքի վրա և մեմրիստորից (1R) հիմնված Pt/ZnO/ZnO:Li/Al հետերոկառուցվածքի վրա։ The memristor memory cell ReRAM has been developed and studied. The developed structure consists of a Schottky diode (1D) based on ZnO:Ga/ZnO:Li/ZnO heterostructure and memristor (1R) based on Pt/ZnO/ZnO:Li/Al heterostructure.

    Item Type: Article
    Additional Information: Լիթիումով լեգիրված ZnO թաղանթների հիմքի վրա մեմրիստորներ։ Memristors Based on Lithium Doped ZnO Films.
    Uncontrolled Keywords: Էլբակյան Է. Ե., Հովսեփյան Ռ. Կ., Պողոսյան Ա. Ռ., Elbakyan E. Y., Hovsepyan R. K., Poghosyan A. R.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Optics. Light
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 05 Nov 2015 16:42
    Last Modified: 05 Nov 2015 16:42
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3516

    Actions (login required)

    View Item