ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Низкочастотные шумы контакта металл–полупроводник

Хондкарян, Г. Д. and Гаспарян, Ф. В. (2015) Низкочастотные шумы контакта металл–полупроводник. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 50 (2). pp. 227-235. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (486Kb) | Preview

    Abstract

    Исследованы ВАХ и низкочастотные шумы структур металл–полупроводник при комнатной температуре. Получены ВАХ и спектры низкочастотных шумов диодных структур с барьером Шоттки, изготовленных на основе Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si. Показано, что ВАХ, уровень и частотный индекс шумов сильно зависят от выбора металлического контакта и величины его площади. Ուսունասիրվել են մետաղ–կիսահաղորդիչ կառուցվածքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկները սենյակային ջերմաստիճանում: Ստացված են Fe/n-Si, Cr/n-Si, W/n-Si հիմքի վրա պատրաստված Շոտկիի արգելքի ՎԱԲ-ը և ցածրհաճախային աղմուկների սպեկտրները: Ցույց է տրված, որ ինչպես ՎԱԲ-ը, այնպես էլ ցածրհաճախային աղմուկների հաճախային գործակիցը խիստ կախված են կոնտակտային մետաղի տեսակից և վերջինիս մակերեսի չափերից: CVC and low-frequency noises of the metal-semiconductor structures at room temperature were investigated. The CVC and low-frequency noise spectra of the diode structures with Schottky barrier prepared on the base of Fe/n-Si, Cr/n-Si and W/n-Si are obtained. It is shown that the CVC, noise level and its frequency index are strongly dependent on the choice of contact metal, and its surface area value.

    Item Type: Article
    Additional Information: Low-frequency noises in the metal–semiconductor contact
    Uncontrolled Keywords: Khondkaryan H. D., Gasparyan F. V.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 07 May 2015 15:52
    Last Modified: 16 Oct 2019 10:23
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3499

    Actions (login required)

    View Item