ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов

Арутюнян, В. М. and Шмавонян, Г. Ш. and Задоян, О. А. and Гамбарян, К. М. and Задоян, А. М. (2014) Исследование фотоэлектрических свойств гетеропереходных эпитаксиально наращенных термофотовольтаических элементов. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (6). pp. 393-399. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (293Kb) | Preview

    Abstract

    Методом химического осаждения из паров металло-органических соединений эпитаксиально наращены эффективные образцы InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) фотовольтаических элементов и исследованы их фотоэлектрические свойства. Effective heterojunction InAs/p-GaSb/n-GaSb/n-GaAs/InxGa1-xAs/Ge/Si(113) photovoltaic cells’ experimental samples have been epitaxy method grown by chemical deposition from metal-organic combination vapors and their photoelectric properties have been investigated.

    Item Type: Article
    Additional Information: Էպիտաքսային աճեցված հետերոանցումային ջերմաֆոտովոլտային տարրերի ֆոտոէլեկտրական հատկությունների հետազոտումը։ Investigation of photoelectrical properties of epitaxially grown heterojunction termophotovoltaic cells.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Շմավոնյան Գ. Շ., Զադոյան Օ. Ա., Ղամբարյան Կ. Մ., Զադոյան Ա. Մ., Aroutiounian V. M., Shmavonyan G. Sh., Zadoyan O. A., Gambaryan K. M., Zadoyan A M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Chemical Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 09 Oct 2014 12:50
    Last Modified: 14 Sep 2019 08:03
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3460

    Actions (login required)

    View Item