ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Определение концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках

Ваганян, А. И. and Багиян, Е. М. (2014) Определение концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (5). pp. 339-341. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (236Kb) | Preview

    Abstract

    Показана возможность определения раздельных концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках на основе температурной зависимости обшей концентрации носителей заряда. Ցույց է տրված բազմահովիտ կիսահաղորդիչներում դոնորների և ակցեպտորների կոնցենտրացիաների որոշման սկզբունքային հնարավորությունը: A possibility of determination of uncooperative concentrations of donors and acceptors in many-valley semiconductors is shown on the basis of temperature dependence of total charge carriers’ concentrations.

    Item Type: Article
    Additional Information: Դոնորների և ակցեպտորների կոնցենտրացիաների որոշումը բազմահովիտ կիսահաղորդիչներում։ Determination of concentrations of donors and acceptors in many-valley semiconductors.
    Uncontrolled Keywords: Վահանյան Ա. Ը., Բաղիյան Ե. Մ., Vahanyan A. I., Baghiyan Y. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 08 Oct 2014 14:12
    Last Modified: 14 Oct 2014 13:57
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3452

    Actions (login required)

    View Item