ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Формирование экситонов в полупроводниковых наноструктурах при наличии электронно-дырочной плазмы

Теккозян, В. A. and Ли, К. and Бабаджанян, А. Ж. and Неркарарян, Х. В. (2014) Формирование экситонов в полупроводниковых наноструктурах при наличии электронно-дырочной плазмы. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 49 (3). pp. 196-201. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (316Kb) | Preview

    Abstract

    Предложен механизм увеличения энергии связи экситона в широкозонных полупроводниках при наличии оптически накачанной электронно-дырочной плазмы. Эти экситоны с относительно большой энергией связи (>150 мэВ) могут существовать при комнатной температуре, когда диэлектрическая проницаемость полупроводника в инфракрасной области спектра приближается к нулю. Առաջարկված է լայն արգելված գոտիով կիսահաղորդիչներում էքսիտոնների կապի էներգիայի մեծացման մեխանիզմ, օպտիկապես մղված էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության պայմաններում: Համեմատաբար մեծ կապի էներգիայով (>150 մէՎ) այդ էքսիտոնները կարող են գոյատևել սենյակային ջերմաստիճանում, երբ կիսահաղորդչի դիէլեկտրական թափանցելիության արժեքը սպեկտրի ինֆրակարմիր տիրույթում մոտ է 0- ին: A mechanism to increase the exciton binding energy in wide band-gap semiconductors due to the presence of optically pumped electron-hole plasma is proposed. These exciton states with high binding energy (>150 meV) can exist at room temperature when the dielectric permittivity of a semiconductor approaches zero in the infrared region.

    Item Type: Article
    Additional Information: Էքսիտոնների ձևավորումը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում՝ էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության դեպքում։ Еxciton formation stimulated by optically pumped electron – hole plasma in semiconductor nanostructures.
    Uncontrolled Keywords: Թեքկոզյան Վ. Ա., Լի Ք., Բաբաջանյան Ա. Ժ., Ներկարարյան Խ. Վ., Tekkozyan V. A., Lee K., Babajanyan A. Zh., Nerkararyan Kh. V.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Plasma Physics
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 03 Jun 2014 14:47
    Last Modified: 04 Jun 2014 13:56
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3434

    Actions (login required)

    View Item