ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Особенности прыжковой проводимости в слабо легированных и слабо компенсированных полупроводниковых квантовых ямах

Арутюнян, С. Л. (2009) Особенности прыжковой проводимости в слабо легированных и слабо компенсированных полупроводниковых квантовых ямах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 44 (3). pp. 213-219. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (140Kb) | Preview

    Abstract

    Исследованы основные особенности прыжкового транспорта в квантованных ямах в условиях слабого легирования и слабой компенсации. ՈՒսումնասիրված են թռիչքային հաղորդականության հիմնական առանձնահատկությունները թույլ լեգիրացված և թույլ համակշռված կիսահաղորդչային քվանտային փոսերում: Main features of hopping transport in quantum wells in the conditions of low doping and low compensation are considered.

    Item Type: Article
    Additional Information: Թռիչքային հաղորդականության առանձնահատկությունները թույլ լեգիրացված և թույլ համակշռված կիսահաղորդչային քվանտային փոսերում։ Features of hopping conductivity in weakly doped and weakly compensated semiconductor quantum wells.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Ս. Լ., Harutyunyan S. L.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 09 Dec 2011 16:32
    Last Modified: 01 Apr 2014 13:33
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/34

    Actions (login required)

    View Item