ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние параметров анодирования пористого кремния на его чувствительность к глюкозе

Меликджанян, Г. А. and Мартиросян, Х. С. (2012) Влияние параметров анодирования пористого кремния на его чувствительность к глюкозе. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (4). pp. 294-297. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (190Kb) | Preview

    Abstract

    Исследовано влияние параметров анодирования пористого кремния на чувствительность к глюкозе путем измерения вольт-амперных характеристик и сопротивлений образцов. Показано, что чувствительность резко увеличивается (до 5.5 раза) с увеличением плотности тока анодирования. Influence of the anodization parameters of porous silicon on its glucose sensitivity was investigated by measuring the current-voltage characteristics and resistance of samples. It is shown that the sensitivity increases sharply up to 5.5 times with increase in the anodization current density.

    Item Type: Article
    Additional Information: Influence of anodization parameters of porous silicon on its glucose sensitivity
    Uncontrolled Keywords: Melikjanyan G. A., Martirosyan Kh. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 17 Sep 2013 15:11
    Last Modified: 18 Oct 2019 10:05
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3330

    Actions (login required)

    View Item