ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Особенности конкурирующего зародышеобразования квантовых точек и нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C

Гамбарян, К. М. and Арутюнян, В. М. and Симонян, А. К. and Мовсесян, Л. Г. (2012) Особенности конкурирующего зародышеобразования квантовых точек и нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (4). pp. 265-276. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (317Kb) | Preview

    Abstract

    Для количественного изучениая особенностей выращивания и механизма зародышеобразования квантовых точек (КТ), нанопор и совместных структур КТ– нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C использована континумиальная модель эластичности.The continuum elasticity model is applied to quantitatively investigate the growth features and nucleation mechanism of quantum dots (QDs), nanopits and QDs-nanopits cooperative structures in SiGeC ternary material system.

    Item Type: Article
    Additional Information: Growth features at competing nucleation of quantum dots and nanopits in Si-Ge-C ternary system
    Uncontrolled Keywords: Gambaryan K. M., Aroutiounian V. M., Simonyan A. K., Movsesyan L. G.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 17 Sep 2013 13:02
    Last Modified: 18 Oct 2019 10:08
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3327

    Actions (login required)

    View Item