ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Анализ характеристик пленок пористого кремния, полученного на монокристаллическом кремнии p-типа

Меликджаня, Г. А. and Мартиросян, Х. С. (2012) Анализ характеристик пленок пористого кремния, полученного на монокристаллическом кремнии p-типа. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (3). pp. 201-206. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (240Kb) | Preview

    Abstract

    Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках p-типа получены пленки пористого кремния и проанализированы зависимости пористости и толщины пленки от содержания в растворе HF, плотности протекающего тока и времени анодирования. Էլեկտրաքիմիական անոդավորման մեթոդով p-տիպի սիլիցիումային տակդիրի վրա ստացված են ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթներ և ուսումնասիրված են ծակոտկենության և թաղանթի հաստության կախվածությունը լուծույթում HF-ի պարունակությունից, անոդավորման հոսանքի խտությունից և անոդավորման ժամանակից:Porous silicon films on p-type silicon substrate with different porosity and thickness have been obtained by electrochemical anodization method. Dependences of porosity and thickness of the films on the content of HF in solution, anodization current density and anodization time were analyzed.

    Item Type: Article
    Additional Information: Մոնոբյուրեղային p-տիպի սիլիցիումի վրա ստացված ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթների բնութագրերի վերլուծություն; Analysis of characteristics of porous silicon films obtained on the p-type single-crystal silicon
    Uncontrolled Keywords: Մելիքջանյան Գ. Ա., Մարտիրոսյան Խ. Ս., Melikjanyan G. A., Martirosyan Kh. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 30 Aug 2013 14:45
    Last Modified: 17 Oct 2019 15:41
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3310

    Actions (login required)

    View Item