ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе четырехкомпонентных InAsSbP наноструктур

Арутюнян, В. М. and Гамбарян, К. М. and Арутюнян, В. Г. and Арутюнян, И. Г. and Казарян, М.С. (2012) Фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе четырехкомпонентных InAsSbP наноструктур. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (3). pp. 193-200. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (460Kb) | Preview

    Abstract

    Методом модифицированной жидкофазной эпитаксии на подложке InAs (100) были выращены четырехкомпонентные InAsSbP квантовые точки (КТ) с поверхностной концентрацией (3–5)×109 см−2. Морфология и распределение плотности КТ исследовались с помощью атомно-силового микроскопа. Հեղուկային էպիտաքսիայի կատարելագործված եղանակով InAs(100) տակդիրի վրա աճեցված են InAsSbP քառաբաղադրիչ քվանտային կետեր (ՔԿ): Ատոմաուժային մանրադիտակով ուսումնասիրված են ՔԿ-երի մորֆոլոգիան և խտություն բաշխումը: Quaternary InAsSbP quantum dots (QDs) have been grown on InAs (100) substrate by a modified version of liquid-phase epitaxy. The morphology and distribution density of QDs were investigated by an atomic force microscope.

    Item Type: Article
    Additional Information: InAsSbP քառաբաղադրիչ նանոկառուցվածքների հիման վրա միջին ինֆրակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչներ; Mid-infrared photodetectors based on quaternary InAsSbP nanostructures
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Ղամբարյան Կ. Մ., Հարությունյան Վ. Գ., Հարությունյան Ի. Գ., Ղազարյան Մ. Ս., Aroutiounian V. M., Gambaryan K. M., Harutyunyan V. G., Harutyunyan I. G., Kazaryan M. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 30 Aug 2013 14:35
    Last Modified: 17 Oct 2019 15:40
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3309

    Actions (login required)

    View Item