ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Моделирование поглощения свободными носителями в кремнии

Варданян, Р. Р. and Даллакян, В. К. and Керст, У. and Бойт, К. (2012) Моделирование поглощения свободными носителями в кремнии. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 47 (2). pp. 111-120. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (281Kb) | Preview

    Abstract

    Проанализированы различные эмпирические модели поглощения света свободными носителями заряда в кремнии в инфракрасном и ближнем инфракрасном диапазонах. Разработана усовершенствованная модель поглощения свободными носителями в кремнии. Different empirical models of light absorption in silicon by free charge carriers in near infrared and infrared regions are analyzed. An improved empirical model for free carrier absorption in silicon is developed.

    Item Type: Article
    Additional Information: Modeling free carrier absorption in silicon
    Uncontrolled Keywords: Vardanyan R. R., Dallakyan V. K., Kerst U., Boit C.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Optics. Light
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 29 Aug 2013 14:52
    Last Modified: 17 Oct 2019 15:22
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3300

    Actions (login required)

    View Item