ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние взаимной диффузии Al и Ga на электронные состояния в полупроводниковой сверхрешетке GaAs/Ga1-xAlxAs

Мугнецян, В. Н. and Киракосян, А. А. (2009) Влияние взаимной диффузии Al и Ga на электронные состояния в полупроводниковой сверхрешетке GaAs/Ga1-xAlxAs. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 44 (3). pp. 207-212. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1271Kb) | Preview

    Abstract

    В рамках метода модифицированного потенциала Вуда–Саксона исследовано влияние взаимной диффузии атомов Al и Ga на ограничивающий потенциал и зонную структуру трехмерной сверхрешетки, состоящей из изначально сферических квантовых точек GaAs/Ga1-xAlxAs. Վուդ–Սաքսոնի ձևափոխված պոտենցիալի մեթոդի շրջանակներում ուսումնասիրված է Al-ի և Ga-ի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունը նախապես գնդային համաչափությամբ GaAs/Ga1-xAlxAs քվանտային կետերից բաղկացած եռաչափ գերցանցի սահմա- նափակող պոտենցիալի և գոտիական կառուցվածքի վրա: The effect of interdiffusion of Al and Ga atoms on the confining potential and band structure of a three-dimensional superlattice, composed of initially spherical GaAs/Ga1-xAlxAs quantum dots, is investigated in the framework of the modified Wood–Saxon potential model.

    Item Type: Article
    Additional Information: Al-ի և Ga-ի փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունը GaAs/Ga1-xAlxAs կիսահաղորդչային գերցանցում էլեկտրոնային վիճակների վրա։ Effect of Al and Ga interdiffusion on the electronic states in GaAs/Ga1-xAlxAs semiconductor superlattice.
    Uncontrolled Keywords: Մուղնեցյան Վ. Ն., Կիրակոսյան Ա. Ա., Mughnetsyan V. N., Kirakosyan A. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity and magnetism
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 09 Dec 2011 16:19
    Last Modified: 01 Apr 2014 15:48
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/33

    Actions (login required)

    View Item