ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Особенности образования радиационных дефектов при облучении монокристаллов кремния

Саакян, В. А. and Ерицян, Г. Н. (2005) Особенности образования радиационных дефектов при облучении монокристаллов кремния. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 40 (6). pp. 453-459. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1083Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Սիլիցիումի միաբյուրեղներում ճառագայթային արատագոյացման առանձնահատկությունները։ Features of radiation defect formation in silicon single crystals.
    Uncontrolled Keywords: Սահակյան Վ. Ա., Երիցյան Հ. Ն., Sahakyan V. A., Yeritsyan H. N.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiation physics (General)
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 23 Mar 2012 12:22
    Last Modified: 20 Mar 2014 14:36
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/328

    Actions (login required)

    View Item