ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Электронные и дырочные состояния в узкозонной полупроводниковой пленке InSb в присутствии однородного электростатического поля

Арутюнян, В. А. and Гаспарян, В. А. and Казарян, Э. М. and Саркисян, А. А. (2013) Электронные и дырочные состояния в узкозонной полупроводниковой пленке InSb в присутствии однородного электростатического поля. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 48 (4). pp. 251-265. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (371Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Էլեկտրոնային և խոռոչային վիճակները InSb նեղգոտիական կիսահաղորդչային թաղանթում արտաքին համասեռ էլեկտրաստատիկ դաշտի առկայությամբ։ Electron and hole states in a narrow-band semiconductor InSb film in the presence of uniform electrostatic field.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Ա., Գասպարյան Վ. Ա., Ղազարյան Է. Մ., Սարգսյան Հ. Ա., Harutyunyan V. A., Gasparyan V. A., Kazaryan E. M., Sarkisyan H. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 23 Jan 2014 14:23
    Last Modified: 03 Apr 2014 14:27
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3228

    Actions (login required)

    View Item