ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

К теории концентрационного уширения примесных уровней в полупроводниках

Касаманян, З. А. (1971) К теории концентрационного уширения примесных уровней в полупроводниках. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 6 (2). pp. 116-123.

[img]
Preview
PDF
Download (1398Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կիսահաղորդիչներում խառնուրդային մակարդակների կոնցենտրացիոն լայնացման տեսության վերաբերյալ։ On the theory of concentration broadening of impurity levels in semiconductors.
    Uncontrolled Keywords: Կասամանյան Զ. Հ., Kasamanian Z. H.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 02 Aug 2013 14:08
    Last Modified: 12 Aug 2013 15:39
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3103

    Actions (login required)

    View Item