ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1973) К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 8 (6). pp. 429-437.

[img]
Preview
PDF
Download (1224Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Խորը ակցեպտորային կենտրոններ և էլեկտրոնների համար կպչողական մակարդակներ պարունակող համակշռված կիսահաղորդիչներում կրկնակի ինժեկցիայի տեսության վերաբերյալ։ On double injection theory in compensated semiconductors with deep acceptor centres and electron traps.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյանց Գ. Մ., Հարությունյան Վ. Մ., Avakiants G. M., Harutunian V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 01 Aug 2013 15:51
    Last Modified: 01 Aug 2013 15:51
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/3080

    Actions (login required)

    View Item