ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Изменение концентрации точечных дефектов на активных дислокациях под влиянием освещения в монокристаллах CdS

Гаспарян, Л. Г. and Мелконян, А. С. and Саканян, М. С. and Валасанян, С. А. and Аветисян, М. Г. (2005) Изменение концентрации точечных дефектов на активных дислокациях под влиянием освещения в монокристаллах CdS. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 40 (4). pp. 301-305. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (733Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Լույսի ազդեցության տակ CdS միաբյուրեղներում ակտիվ դիսլոկացիաների վրա կետային արատների կոնցենտրացիայի փոփոխությունը։ Change of the concentration of point defects on active dislocations under the influence of light in CdS single crystals.
    Uncontrolled Keywords: Գասպարյան Լ. Գ., Մելքոնյան Հ. Ս., Սաքանյան Մ. Ս., Վալասանյան Ս. Հ., Ավետիսյան Մ. Հ., Gasparyan L. G., Melkonyan H. S., Saqanyan M. S., Valasanyan S. H., Avetisyan M. H.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity and magnetism
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 21 Mar 2012 12:52
    Last Modified: 19 Mar 2014 15:54
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/300

    Actions (login required)

    View Item