ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Двойная инжекция в полупроводник, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны

Арутюнян, В. М. (1974) Двойная инжекция в полупроводник, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 9 (4). pp. 316-321.

[img]
Preview
PDF
Download (675Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կրկնակի ինժեկցիա արգելված զոնայի ներքևի մասում գտնվող խորը մակարդակներով համակշռված կիսահաղորդչում։ Double injection into semiconductor compensated by deep acceptors lying in the lower half of forbidden band.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Harutyuyan V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 10 Jul 2013 09:23
    Last Modified: 17 Jul 2013 10:00
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2857

    Actions (login required)

    View Item