ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Двойная инжекция в полупроводник с изменяющимися с ростом тока временами жизни электронов и дырок

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1974) Двойная инжекция в полупроводник с изменяющимися с ростом тока временами жизни электронов и дырок. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 9 (3). pp. 197-207.

[img]
Preview
PDF
Download (1386Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կրկնակի ինժեկցիան կիսահաղորդիչներում, հաշվի առնելով հոսանքի մեծացման հետևանքով էլեկտրոնների և խոռոչների կյանքի տևողության փոփոխությունը։ Double injection into semiconductor with hole and electron lifetimes varying with current.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյան Գ. Մ., Հարությունյան Վ. Մ., Avakyants G. M., Harutunyan V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 09 Jul 2013 10:35
    Last Modified: 16 Jul 2013 14:44
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2837

    Actions (login required)

    View Item