ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Анализ параметров симметрического домена в диодах Ганна из GaAs с учетом полевой зависимости коэффициента диффузии электронов

Арутюнян, В. М. and Варосян, А. Г. (1975) Анализ параметров симметрического домена в диодах Ганна из GaAs с учетом полевой зависимости коэффициента диффузии электронов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 10 (4). pp. 283-290.

[img]
Preview
PDF
Download (7Mb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: GaAs-ից պատրաստված Գաննի դիոդներում սիմետրիկ դոմենի պարամետրերի վերլուծությունը, էլեկտրոնների դիֆուզիայի գործակցի դաշտային կախվածության դեպքում։ Analysis of parameters of a symmetrical domain in Gunn diodes made from GaAs taking into account the field dependence of electron diffusion coefficient.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Վարոսյան Ա. Գ., Arutunyan V. M., Varosyan A. G.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 28 Jun 2013 13:13
    Last Modified: 10 Jul 2013 11:28
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2730

    Actions (login required)

    View Item