ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику полупроводниковых приборов

Авакьянц, Г. М. and Лазарев, Е. В. (1969) О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику полупроводниковых приборов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 4 (2). pp. 83-90.

[img]
Preview
PDF
Download (1234Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կիսահաղորդչային սարքերի վոլտ-ամպերային բնութագրի վրա էլեկտրոն-խոռոչային ցրման ազդեցության մասին։ On the influence of the electron-hole scattering upon volt-amper characteristics of semiconductor devices.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյանց Գ. Մ., Լազարև Ե. Վ., Avakjants G. M., Lazarev E. V.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 28 Jun 2013 09:40
    Last Modified: 03 Jul 2013 08:41
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2720

    Actions (login required)

    View Item