ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки

Буниатян, В. В. and Арутюнян, В. М. and Микаелян, Л. А. and Буниатян, Ваз. В. and Сукиасян, П. (2005) Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 40 (2). pp. 133-139. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1002Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Շոտկիի արգելքով SiC դաշտային տրանզիստորների վոլտ-ֆարադային բնութագրերը։ Capacitance-voltage characteristics of Schottky-barrier SiC field-effect transistors.
    Uncontrolled Keywords: Բունիաթյան Վ. Վ., Հարությունյան Վ. Մ., Միքայելյան Լ. Ա., Բունիաթյան Վազ. Վ., Սուքիասյան Պ., Buniatyan V. V., Aroutiounian V. M., Mikaelyan L. A., Buniatyan Vaz. V., Soukiassian P.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 15 Mar 2012 15:19
    Last Modified: 19 Mar 2014 15:47
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/270

    Actions (login required)

    View Item