ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Экспериментальное исследование S-ячеек на основе транзистора с туннельной утечкой

Барсегян, Р. С. (1975) Экспериментальное исследование S-ячеек на основе транзистора с туннельной утечкой. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 10 (2). pp. 107-114.

[img]
Preview
PDF
Download (6Mb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Թունելային արտահոսքով տրանզիստորի հիման վրա ստեղծված S-բջջի փորձնական հետազոտությունը։ Experimental study of S-cells based on tunnel-leakage transistor.
    Uncontrolled Keywords: Բարսեղյան Ռ. Ս., Barsegyan R. S.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 25 Jun 2013 14:42
    Last Modified: 09 Jul 2013 11:33
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2656

    Actions (login required)

    View Item