ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние уровней прилипания на вольт-амперную характеристику диода

Авакьянц, Г. М. and Арутюнян, В. М. (1968) Влияние уровней прилипания на вольт-амперную характеристику диода. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 3 (3). pp. 200-210.

[img]
Preview
PDF
Download (1707Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կպչողական մակարդակների ազդեցությունը դիոդի վոլտ-ամպերային բնութագրի վրա։ Trap level influence on the voltage-current characteristics of a diode.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյանց Գ. Մ., Հարությունյան Վ. Մ., Avakiants G. M., Harootunian V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 21 Jun 2013 09:46
    Last Modified: 04 Jul 2013 09:49
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2590

    Actions (login required)

    View Item