ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О влиянии центров рекомбинации на вольт-амперную характеристику полупроводникового диода

Авакьянц, Г. М. and Рахимов, А. У. (1967) О влиянии центров рекомбинации на вольт-амперную характеристику полупроводникового диода. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 2 (5). pp. 316-329.

[img]
Preview
PDF
Download (1936Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Ռեկոմբինացիայի կենտրոնների ազդեցությունը կիսահաղորդչային դիոդի վոլտ-ամպերային բնութագրի վրա։ On the effects of the recombination centres upon the volt-ampere characteristic of semiconductor diode.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյանց Գ. Մ., Ռահիմով Ա. Ու., Avakiants G. M., Rahimov A. U.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 13 Jun 2013 11:48
    Last Modified: 20 Jun 2013 10:14
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2441

    Actions (login required)

    View Item