ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1977) Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 12 (2). pp. 123-128.

[img]
Preview
PDF
Download (873Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Լուսավորման ազդեցությունը արգելման շերտի վերին կեսում գտնվող ակցեպտորներով կոմպենսացված կիսահաղորդչային S-դիոդների վրա։ Influence of light on S-diodes mode of a semiconductor compensated with acceptors in the upper half of forbidden gap.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Գասպարյան Ֆ. Վ., Arutunyan V. M., Gasparyan F. V.
    Subjects: T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 07 Jun 2013 11:11
    Last Modified: 07 Jun 2013 11:13
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2375

    Actions (login required)

    View Item