ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние центров прилипания на вольт-амперную характеристику p-n-диодов

Авакьянц, Г. М. and Рахимов, А. У. (1967) Влияние центров прилипания на вольт-амперную характеристику p-n-диодов. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 2 (2). pp. 105-118.

[img]
Preview
PDF
Download (1822Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կպչողական կենտրոնների ազդեցությունը p-n ուղղիչների վոլտ-ամպերային բնութագրի վրա։ On the influence of stick centers upon the volt-ampere characteristic of p-n-diodes.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյանց Գ. Մ., Ռահիմով Ա., Avakiants G. M., Rahimov A. U.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 06 Jun 2013 10:25
    Last Modified: 19 Jun 2013 13:44
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2350

    Actions (login required)

    View Item